1、价格：降价或成必然趋势
受益于下游智能手机、AI、数据中心、汽车、物联网等多极应用的驱动，存储芯片市场有望继续保持高增长。美光预计 2017 年至 2021 年，DRAM 需求复合年增长率将达 20%，NAND 位需求复合年增长率将达 40-45%。
参考观研天下发布《2018年中国AI芯片行业分析报告-市场运营态势与发展趋势预测》
存储芯片的涨价由供不应求开始，是否持续还得看供需。需求是缓慢增长，而供给会突然增加，随着国际大厂产能释放以及大陆存储项目稳步推进，存储芯片价格下降或成必然趋势。
DRAM
需求端：下游智能手机运行内存不断从 1G 到 2G、3G、4G 升级导致移动式DRAM 需求快速增长，同时数据中心快速发展促进服务器内存需求增长。
供给端：DRAM 主要掌握在三星、海力士、美光等几家手中，呈现寡头垄断格局，三星市占率约为 45%。2016 年 Q3 之前，DRAM 价格一路走低，所有 DRAM 厂商都不敢贸然扩产。
价格：供不应求导致 DRAM 价格从 2016 年 Q2/Q3 开始一路飙升，DXI 指数从 6000 点最高上涨到 30000 点。DXI 指数是集邦咨询于 2013 年创建反映主流 DRAM 价格的指数，目前仍维持在高位。从现货价格上看，4G 产品价格从 2018Q1 开始回落，但 2G 产品价格依旧坚挺。
短期看，在大陆智能手机出货疲弱的大环境影响下，移动式内存的需求有所下降。同时，DRAM 三大厂 2018 年新增 5-7%的产能将于下半年开出。需求减弱，供给增加，供需紧张关系得到缓解，移动式内存的价格有所下降。
但随着全球数据中心的发展，服务器内存需求仍然旺盛，我们预计 2018 年服务器内存价格仍然会延续涨价的走势。根据韩国产业技术振兴院预测，在不考虑大陆厂商的情况下，4Gb DARM 价格将从 2017 年的 4.71 美元降到2018 年的 4.39 元，降幅为 6.8%。
长期看，随着三大厂商产能释放以及大陆合肥长鑫、福建晋华的 DRAM 项目稳步推进，产能开出后将较快地增加供给，而需求是缓慢增长，届时供过于求或将引发价格战导致 DRAM 价格大幅下降。根据韩国产业技术振兴院预测，4Gb DARM 价格到 2019 将大幅下降至 3.53 美元；由于受到大陆厂商的影响，估计韩国 5 年后减少的 DRAM 收入为 67 亿美元。
NAND Flash
需求端：下游智能手机闪存存不断从 16G 到 32G、64G、128G 甚至 256G 升级导致嵌入式存储快速需求增长，同时随着 SSD 在 PC 中渗透率提升以及数据中心服务器数量增加导致 SSD 需求快速增长。
供给端：NAND 主要厂商有三星、东芝、美光和海力士，三星同样是产业龙头，市占率约为37%。2016和2017年为NAND Flash从2D到3D NAND 制程转化年，产能存在逐渐释放的过程，供给缓慢增加。
价格：供不应求导致 NAND 价格从 2016 年 Q2/Q3 开始一路飙升，最高涨幅超过 50%。随着供给端产能逐渐开出，NAND 价格从 2017H2 至今已下降20%左右。
短期看，智能手机销售增速疲软，2018 年上半年 NAND 需求恐不如预期，随着 3D 产能不断开出，市况将转变成供过于求，导致 NAND Flash 价格持续走跌的机率升高。根据韩国产业技术振兴院预测，在不考虑大陆厂商的情况下，32Gb NAND 价格将从 2017 年的 2.8 美元降到 2018 年的 1.93 元，降幅高达 31%。
长期看，随着国际大厂产能释放以及大陆长江存储的 NAND 项目产能开出后将较快地增加供给，而需求是缓慢增长，届时供过于求或将引发价格战导致 NAND 价格持续大幅下降。根据韩国产业技术振兴院预测，32Gb NAND 价格 2020 年将大幅下降至 0.65 美元；由于受到大陆厂商的影响，估计韩国 5 年后减少的 NAND 收入为 11 亿美元。
NOR Flash
需求端：虽然 NOR FLASH 市场份额较小，但是由于代码可在芯片内执行，仍然常常用于存储启动代码和设备驱动程序。随着物联网、智慧应用(智能家居、智慧城市、智能汽车)、无人机等厂商导入 NOR Flash 作为储存装置和微控制器搭配开发，同时智能手机搭载 OLED 面板需外挂 NOR Flash 来储存程序代码，NOR Flash 需求持续增长。
供给端：一方面上游硅片原材料供不应求涨价；另一方面，巨头美光及 Cypress 纷纷宣布淡出，关停部分生产线等，产生供给缺口，导致价格上涨。价格：2017 年由于 NOR Flash 市场供不应求且价格大涨。2018Q1 因智能手机生产链进入库存调整阶段，NOR Flash 市场供需平衡，价格基本稳定，只有部份低容量 NOR Flash 市场因大陆产能开出而有降价现象。
短期看，2018Q2 安卓阵营智能型手机开始进入零组件备货旺季，随着 AMOLED 面板市场渗透率提升，NOR Flash 需求已见回升。英特尔在第八代 Core 处理器平台中，将储存 BIOS 的 NOR Flash 容量由 64Mb/128Mb 一举拉高至 256Mb，中高容量 NOR Flash 因此供货吃紧。但是，2017 年以来国际大厂都没有大规模扩充产能动作，随着市场需求由淡季进入旺季，缺货问题再度浮上台面，价格或将再次上涨。
长期看，高端 NOR Flash 随着汽车智能化电动化发展需求旺盛，低端 NOR Flash 随着物联网 IOT、智慧音箱、AMOLED 等新应用的发展同样需求旺盛。
2、安全：逐步实现自主可控
大陆产业链市占率整体低下，国产化迫在眉睫。我国核心芯片如计算机系统中的 CPU\MPU、通用电子统中的 FPGA/EPLD 和 DSP、通信装备中的嵌入式 MPU 和 DSP、存储设备中的 DRAM 和 Nand Flash、显示及视频系统中的 Display Driver，国产芯片占有率都几乎为零。制造环节，虽然 28nm 以上的成熟工艺大陆已站稳脚跟，但是 28nm 及以下的先进工艺、化合物半导体等市占率仍然很低。高端设备、材料、EDA 工具、核心 IP 等市占率同样非常低。
受益于下游智能手机、AI、数据中心、汽车、物联网等多极应用的驱动，存储芯片市场有望继续保持高增长。美光预计 2017 年至 2021 年，DRAM 需求复合年增长率将达 20%，NAND 位需求复合年增长率将达 40-45%。
参考观研天下发布《2018年中国AI芯片行业分析报告-市场运营态势与发展趋势预测》
图表：DRAM 需求
资料来源：观研天下整理
图表：NAND 位需求
资料来源：观研天下整理
存储芯片的涨价由供不应求开始，是否持续还得看供需。需求是缓慢增长，而供给会突然增加，随着国际大厂产能释放以及大陆存储项目稳步推进，存储芯片价格下降或成必然趋势。
图表：存储芯片供不应求涨价
资料来源：观研天下整理
DRAM
需求端：下游智能手机运行内存不断从 1G 到 2G、3G、4G 升级导致移动式DRAM 需求快速增长，同时数据中心快速发展促进服务器内存需求增长。
供给端：DRAM 主要掌握在三星、海力士、美光等几家手中，呈现寡头垄断格局，三星市占率约为 45%。2016 年 Q3 之前，DRAM 价格一路走低，所有 DRAM 厂商都不敢贸然扩产。
价格：供不应求导致 DRAM 价格从 2016 年 Q2/Q3 开始一路飙升，DXI 指数从 6000 点最高上涨到 30000 点。DXI 指数是集邦咨询于 2013 年创建反映主流 DRAM 价格的指数，目前仍维持在高位。从现货价格上看，4G 产品价格从 2018Q1 开始回落，但 2G 产品价格依旧坚挺。
图表：内存价格指数（DXI）
资料来源：观研天下整理
图表：DRAM 现货价格走势（美元）
资料来源：观研天下整理
短期看，在大陆智能手机出货疲弱的大环境影响下，移动式内存的需求有所下降。同时，DRAM 三大厂 2018 年新增 5-7%的产能将于下半年开出。需求减弱，供给增加，供需紧张关系得到缓解，移动式内存的价格有所下降。
但随着全球数据中心的发展，服务器内存需求仍然旺盛，我们预计 2018 年服务器内存价格仍然会延续涨价的走势。根据韩国产业技术振兴院预测，在不考虑大陆厂商的情况下，4Gb DARM 价格将从 2017 年的 4.71 美元降到2018 年的 4.39 元，降幅为 6.8%。
长期看，随着三大厂商产能释放以及大陆合肥长鑫、福建晋华的 DRAM 项目稳步推进，产能开出后将较快地增加供给，而需求是缓慢增长，届时供过于求或将引发价格战导致 DRAM 价格大幅下降。根据韩国产业技术振兴院预测，4Gb DARM 价格到 2019 将大幅下降至 3.53 美元；由于受到大陆厂商的影响，估计韩国 5 年后减少的 DRAM 收入为 67 亿美元。
图表：4Gb DRAM 市场价格变动预测
资料来源：观研天下整理
图表：DRAM 市场的中国变数
资料来源：观研天下整理
NAND Flash
需求端：下游智能手机闪存存不断从 16G 到 32G、64G、128G 甚至 256G 升级导致嵌入式存储快速需求增长，同时随着 SSD 在 PC 中渗透率提升以及数据中心服务器数量增加导致 SSD 需求快速增长。
供给端：NAND 主要厂商有三星、东芝、美光和海力士，三星同样是产业龙头，市占率约为37%。2016和2017年为NAND Flash从2D到3D NAND 制程转化年，产能存在逐渐释放的过程，供给缓慢增加。
图表：2017 年主要新增 3D NAND 投产规划
资料来源：观研天下整理
价格：供不应求导致 NAND 价格从 2016 年 Q2/Q3 开始一路飙升，最高涨幅超过 50%。随着供给端产能逐渐开出，NAND 价格从 2017H2 至今已下降20%左右。
图表：NAND 现货价格走势（美元）
资料来源：观研天下整理
短期看，智能手机销售增速疲软，2018 年上半年 NAND 需求恐不如预期，随着 3D 产能不断开出，市况将转变成供过于求，导致 NAND Flash 价格持续走跌的机率升高。根据韩国产业技术振兴院预测，在不考虑大陆厂商的情况下，32Gb NAND 价格将从 2017 年的 2.8 美元降到 2018 年的 1.93 元，降幅高达 31%。
长期看，随着国际大厂产能释放以及大陆长江存储的 NAND 项目产能开出后将较快地增加供给，而需求是缓慢增长，届时供过于求或将引发价格战导致 NAND 价格持续大幅下降。根据韩国产业技术振兴院预测，32Gb NAND 价格 2020 年将大幅下降至 0.65 美元；由于受到大陆厂商的影响，估计韩国 5 年后减少的 NAND 收入为 11 亿美元。
图表：32Gb NAND 市场价格变动预测
资料来源：观研天下整理
图表：NAND 市场的中国变数
资料来源：观研天下整理
NOR Flash
需求端：虽然 NOR FLASH 市场份额较小，但是由于代码可在芯片内执行，仍然常常用于存储启动代码和设备驱动程序。随着物联网、智慧应用(智能家居、智慧城市、智能汽车)、无人机等厂商导入 NOR Flash 作为储存装置和微控制器搭配开发，同时智能手机搭载 OLED 面板需外挂 NOR Flash 来储存程序代码，NOR Flash 需求持续增长。
供给端：一方面上游硅片原材料供不应求涨价；另一方面，巨头美光及 Cypress 纷纷宣布淡出，关停部分生产线等，产生供给缺口，导致价格上涨。价格：2017 年由于 NOR Flash 市场供不应求且价格大涨。2018Q1 因智能手机生产链进入库存调整阶段，NOR Flash 市场供需平衡，价格基本稳定，只有部份低容量 NOR Flash 市场因大陆产能开出而有降价现象。
短期看，2018Q2 安卓阵营智能型手机开始进入零组件备货旺季，随着 AMOLED 面板市场渗透率提升，NOR Flash 需求已见回升。英特尔在第八代 Core 处理器平台中，将储存 BIOS 的 NOR Flash 容量由 64Mb/128Mb 一举拉高至 256Mb，中高容量 NOR Flash 因此供货吃紧。但是，2017 年以来国际大厂都没有大规模扩充产能动作，随着市场需求由淡季进入旺季，缺货问题再度浮上台面，价格或将再次上涨。
长期看，高端 NOR Flash 随着汽车智能化电动化发展需求旺盛，低端 NOR Flash 随着物联网 IOT、智慧音箱、AMOLED 等新应用的发展同样需求旺盛。
图表：NOR Flash 供需分析
资料来源：观研天下整理
2、安全：逐步实现自主可控
大陆产业链市占率整体低下，国产化迫在眉睫。我国核心芯片如计算机系统中的 CPU\MPU、通用电子统中的 FPGA/EPLD 和 DSP、通信装备中的嵌入式 MPU 和 DSP、存储设备中的 DRAM 和 Nand Flash、显示及视频系统中的 Display Driver，国产芯片占有率都几乎为零。制造环节，虽然 28nm 以上的成熟工艺大陆已站稳脚跟，但是 28nm 及以下的先进工艺、化合物半导体等市占率仍然很低。高端设备、材料、EDA 工具、核心 IP 等市占率同样非常低。
图表：大陆半导体产业链市占率整体偏低
资料来源：观研天下整理
这种情况对于国家和企业而言都是非常不利的，不管是从国家安全还是电子产业的发展而言，全力推动半导体产业目前已经成为了全国上下的一致共识，整个行业的发展动力非常充足。随着三大存储项目稳步推进，大陆存储芯片自给率将有望逐步提升，从而实现自主可控。
资料来源：观研天下整理，转载请注明出处（TC）
更多好文每日分享，欢迎关注公众号
【版权提示】观研报告网倡导尊重与保护知识产权。未经许可，任何人不得复制、转载、或以其他方式使用本网站的内容。如发现本站文章存在版权问题，烦请提供版权疑问、身份证明、版权证明、联系方式等发邮件至kf@chinabaogao.com，我们将及时沟通与处理。
