日本半导体产业崛起于战后，日本半导体产业的成功，主要体现在 20 世纪80年代DRAM的追赶和超越美国，不仅在美国市场、在欧洲及亚洲市场也都居于领先地位，并且在DRAM全球市占份额超过美国，跃居世界首位：1986 年，日本企业在世界 DRAM 市场所占的份额达到了80%。
产品方面，64 KB时代主要由日立制作所主导、256 KB时代有日本电气（NEC），以及1MB时代的东芝，虽然不同产品时代的企业有所变化，但最大供应商的地位一直都被日本企业占据。
大型 PC 机时代机遇来临，DRAM 高可靠性要求：随着计算机普及，DRAM形成了很大的需求市场。20世纪70-80年代，计算机开始普及，计算机内存由磁芯技术开始逐步被替换为半导体存储器，DRAM在以每隔3年容量翻4倍的速度更新换代的过程中，验证了摩尔定律，并推广到了全世界。
美国扶持+政府积极推动技术引进，快速缩短技术差距：日本半导体业的发展始于 1963 年。当年日本电气公司（NEC）自美国仙童半导体获得planar technology的授权。日本政府要求NEC将取得的技术和国内其他厂商分享。由此项技术的引进，日本的NEC、三菱、京都电气等乃开始进入半导体产业。
参考观研天下发布《2018-2024年中国半导体行业市场产销态势分析及投资发展趋势研究报告》
NEC 率先投入 MOS IC 的开发，技术上差异化竞争。日本业界原使用双极集成电路（bipolar IC）生产桌上型计算机所须的IC，该项技术德仪居领导地位；但RCA公司所开发的MOS技术为业界提供新选择。虽然双极IC的速度较快，但MOS IC较省电，而且技术复杂的程度较低。NEC 率先投入MOS IC的开发，以避开和德仪竞争，并在日本国内市场取得领先地位。
加大 MOS 技术的投资，开发出 linear IC 和 COMS。在1970年代日本半导体业界大量投入MOS技术的开发及设备投资。例如在1973年的设备投资较1972年增加65%，而营业额亦成长46%，R&D的投入则占存储器（MOS技术的主要用途）的19.7%（包括政府的补助金）。除此之外，日本业界也以bipolar的技术开发出音响及电视机使用的线性积体电路（linear IC），并开始将CMOS运用于电子表。
日本政府同时充分利用各种经济手段，比如税收优惠等促进产业发展，以税收为例，日本有研发支出的租税优惠和特定研究的优惠，促进产业投资，保障行业均衡发展。
日本吸收美国技术并完善高可靠性工艺完美满足工艺 PC 时代要求，实现赶超美国；20世纪80年代，当时半导体存储器最大的市场在于大型计算机，而大型机一般使用周期较长，用户不会随便换购新产品。因此，要求半导体在内的零部件具有较高的可靠性。
日本半导体业界在制造工艺上精益求精，不是要求在测试阶段踢除劣质品，而是尽量不生产劣质产品。因此，这使得DRAM产品不仅可靠性得到提升，而且还提高了良品率和生产效率，因此最终可以以较低的价格销售。
美国以及其他海外的DRAM用户对日本质优价廉的DRAM十分认可，于是日本产DRAM在全球市场所占的份额不断增加，获得了非常大的成功。
举国体制：筹集 720 亿日元研制 DRAM 核心设备。日本尽管可以生产 DRAM内存芯片，但是最关键的制程设备和生产原料要从美国进口。为了补足短板，1976年3月，经通产省、自民党、大藏省多次协商，日本政府启动了"DRAM制法革新"国家项目。由日本政府出资320亿日元，日立、NEC、富士通、三菱、东芝五大企业联合筹资400亿日元。总计投入720亿日元（2.36亿美元）为基金，由日本电子综合研究所，和计算机综合研究所牵头，设立国家性科研机构——“VLSI 技术研究所”。日立领头组织 800 多名技术精英，共同研制国产高性能 DRAM 制程设备。目标是近期突破64K DRAM和256K DRAM的实用化，远期在10-20 年内，实现1M DRAM的实用化。
在这一技术攻关体系中，日立（第一研究室），负责电子束扫描装置与微缩投影紫外线曝光装置。富士通（第二研究室）研制可变尺寸矩形电子束扫描装置。东芝（第三研究室）负责 EB 扫描装置与制版复印装置。电气综合研究所（第四研究室）对硅晶体材料进行研究。三菱电机（第五研究室）开发制程技术与投影曝光装置。NEC（第六研究室）进行产品封装设计、测试、评估研究。
1980年，日本VLSI联合研发体，宣告完成为期四年的“VLSI”项目。期间申请的实用新型专利和商业专利，达到1210件和347件。研发的主要成果包括各型电子束曝光装置，采用紫外线、X 射线、电子束的各型制版复印装置、干式蚀刻装置等，取得了引人注目的成果。针对难度大的高风险研究课题，VLSI项目采用多个实验室群起围攻的方式，调动各单位进行良性竞争，保证研发成功率。各企业的技术整合，保证了DRAM 量产成功率，奠定了日本在 DRAM 市场的霸主地位。
日本 DRAM 产业的衰退：未能把握消费级 PC 时代+下美国限制，八十年代末开始下滑。九十年代初日本DRAM达到顶峰后，市占份额急速下滑，走向了衰落的开始。到2012年，日本不再有DRAM企业。
1999年，日立制作所和NEC合并了他们的DRAM业务，成立了尔必达存储器。同年，富士通也从面向大型机的DRAM业务中撤出。2001年，东芝将DRAM业务卖给了美光科技。2003年，三菱电机的DRAM业务被尔必达吸收。随着 2012 年尔必达的破产被美光收购，日本仅有的一家DRAM企业也不复存在。
日本 DRAM 产业的下滑主要以下原因：1）全球计算机市场开始由大型机向个人计算机转变，DRAM的高可靠性优势不再；美国对日本的政策由扶植转向限制，包括《广场协议》导致的日元升值带来的价格劣势。
1984年IBM推出PC，个人计算机时代来临，20世纪90年代前半期，个人计算机产值超过大型机，个人计算机对DRAM寿命的要求比大型机要低，而且对价格要求要低廉，随着PC的普及，美国的美光和韩国的三星等企业对产品作出了以高性价比DRAM战略调整，而日本企业却没有积极应对，DRAM产品还是偏向于大型机的需求，随后产品的竞争力也变弱。
日本DRAM产业的快速发展甚至超越美国，加上全球冷战压力减小，使美国对日本半导体产业甚至日本政府的态度发生根本的变化，由扶持转向限制：（1）美日半导体协议限制日本产品最低价格，使日本半导体产品失去了价格优势；（2）要求开放日本国内市场，外国产半导体产品在日本国内市场所占的份额要求达到20%。
产品方面，64 KB时代主要由日立制作所主导、256 KB时代有日本电气（NEC），以及1MB时代的东芝，虽然不同产品时代的企业有所变化，但最大供应商的地位一直都被日本企业占据。
图表：各国家和地区市场份额情况
大型 PC 机时代机遇来临，DRAM 高可靠性要求：随着计算机普及，DRAM形成了很大的需求市场。20世纪70-80年代，计算机开始普及，计算机内存由磁芯技术开始逐步被替换为半导体存储器，DRAM在以每隔3年容量翻4倍的速度更新换代的过程中，验证了摩尔定律，并推广到了全世界。
图表：1978年-2000 年不同容量DRAM出货单位
图表：1978 年-2000 年不同容量DRAM 销售
参考观研天下发布《2018-2024年中国半导体行业市场产销态势分析及投资发展趋势研究报告》
NEC 率先投入 MOS IC 的开发，技术上差异化竞争。日本业界原使用双极集成电路（bipolar IC）生产桌上型计算机所须的IC，该项技术德仪居领导地位；但RCA公司所开发的MOS技术为业界提供新选择。虽然双极IC的速度较快，但MOS IC较省电，而且技术复杂的程度较低。NEC 率先投入MOS IC的开发，以避开和德仪竞争，并在日本国内市场取得领先地位。
加大 MOS 技术的投资，开发出 linear IC 和 COMS。在1970年代日本半导体业界大量投入MOS技术的开发及设备投资。例如在1973年的设备投资较1972年增加65%，而营业额亦成长46%，R&D的投入则占存储器（MOS技术的主要用途）的19.7%（包括政府的补助金）。除此之外，日本业界也以bipolar的技术开发出音响及电视机使用的线性积体电路（linear IC），并开始将CMOS运用于电子表。
图表：DRAM 进入快速发展期
图表：日本大力投入集成电路尤其存储器开发
图表：日本半导体相关租税政策
日本吸收美国技术并完善高可靠性工艺完美满足工艺 PC 时代要求，实现赶超美国；20世纪80年代，当时半导体存储器最大的市场在于大型计算机，而大型机一般使用周期较长，用户不会随便换购新产品。因此，要求半导体在内的零部件具有较高的可靠性。
日本半导体业界在制造工艺上精益求精，不是要求在测试阶段踢除劣质品，而是尽量不生产劣质产品。因此，这使得DRAM产品不仅可靠性得到提升，而且还提高了良品率和生产效率，因此最终可以以较低的价格销售。
美国以及其他海外的DRAM用户对日本质优价廉的DRAM十分认可，于是日本产DRAM在全球市场所占的份额不断增加，获得了非常大的成功。
举国体制：筹集 720 亿日元研制 DRAM 核心设备。日本尽管可以生产 DRAM内存芯片，但是最关键的制程设备和生产原料要从美国进口。为了补足短板，1976年3月，经通产省、自民党、大藏省多次协商，日本政府启动了"DRAM制法革新"国家项目。由日本政府出资320亿日元，日立、NEC、富士通、三菱、东芝五大企业联合筹资400亿日元。总计投入720亿日元（2.36亿美元）为基金，由日本电子综合研究所，和计算机综合研究所牵头，设立国家性科研机构——“VLSI 技术研究所”。日立领头组织 800 多名技术精英，共同研制国产高性能 DRAM 制程设备。目标是近期突破64K DRAM和256K DRAM的实用化，远期在10-20 年内，实现1M DRAM的实用化。
在这一技术攻关体系中，日立（第一研究室），负责电子束扫描装置与微缩投影紫外线曝光装置。富士通（第二研究室）研制可变尺寸矩形电子束扫描装置。东芝（第三研究室）负责 EB 扫描装置与制版复印装置。电气综合研究所（第四研究室）对硅晶体材料进行研究。三菱电机（第五研究室）开发制程技术与投影曝光装置。NEC（第六研究室）进行产品封装设计、测试、评估研究。
1980年，日本VLSI联合研发体，宣告完成为期四年的“VLSI”项目。期间申请的实用新型专利和商业专利，达到1210件和347件。研发的主要成果包括各型电子束曝光装置，采用紫外线、X 射线、电子束的各型制版复印装置、干式蚀刻装置等，取得了引人注目的成果。针对难度大的高风险研究课题，VLSI项目采用多个实验室群起围攻的方式，调动各单位进行良性竞争，保证研发成功率。各企业的技术整合，保证了DRAM 量产成功率，奠定了日本在 DRAM 市场的霸主地位。
图表：日本半导体产业成功的原因
日本 DRAM 产业的衰退：未能把握消费级 PC 时代+下美国限制，八十年代末开始下滑。九十年代初日本DRAM达到顶峰后，市占份额急速下滑，走向了衰落的开始。到2012年，日本不再有DRAM企业。
1999年，日立制作所和NEC合并了他们的DRAM业务，成立了尔必达存储器。同年，富士通也从面向大型机的DRAM业务中撤出。2001年，东芝将DRAM业务卖给了美光科技。2003年，三菱电机的DRAM业务被尔必达吸收。随着 2012 年尔必达的破产被美光收购，日本仅有的一家DRAM企业也不复存在。
图表：日本 DRAM 企业的消失
日本 DRAM 产业的下滑主要以下原因：1）全球计算机市场开始由大型机向个人计算机转变，DRAM的高可靠性优势不再；美国对日本的政策由扶植转向限制，包括《广场协议》导致的日元升值带来的价格劣势。
1984年IBM推出PC，个人计算机时代来临，20世纪90年代前半期，个人计算机产值超过大型机，个人计算机对DRAM寿命的要求比大型机要低，而且对价格要求要低廉，随着PC的普及，美国的美光和韩国的三星等企业对产品作出了以高性价比DRAM战略调整，而日本企业却没有积极应对，DRAM产品还是偏向于大型机的需求，随后产品的竞争力也变弱。
日本DRAM产业的快速发展甚至超越美国，加上全球冷战压力减小，使美国对日本半导体产业甚至日本政府的态度发生根本的变化，由扶持转向限制：（1）美日半导体协议限制日本产品最低价格，使日本半导体产品失去了价格优势；（2）要求开放日本国内市场，外国产半导体产品在日本国内市场所占的份额要求达到20%。
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