随着曝光光源的改进,光刻机工艺技术节点不断缩小,设备从光源(从最初的g-Line,i-Line发展到EUV)、曝光方式(从接触式到步进式,从干式投影到浸没式投影)不断进行着改进。
历程 |
光源 |
波长(nm) |
类型 |
制程(nm) |
第一代 |
g-line |
436 |
接触接近式 |
800-250 |
第二代 |
i-line |
365 |
接触接近式 |
800-250 |
第三代 |
KrF |
248 |
扫描投影式 |
180-130 |
第四代 |
ArF |
193 |
浸没步进式 |
45-22 |
步进投影式 |
130-65 |
|||
第五代 |
EUV |
13.5 |
极紫外式 |
22-7 |
目前光刻机主要可以分为IC前道制造光刻机、IC后道先进封装光刻机、LED/MEMS/PowerDevices制造用光刻机以及面板光刻机,其中IC前道光刻机技术最为复杂。光刻机是晶圆制造产线中成本最高的半导体设备,占晶圆生产线设备成本27%,光刻工艺占芯片制造时间40%-50%。
在国际光刻机市场上,目前全球光刻机市场主要由荷兰的ASML、日本的NIKON和CANON所占据主动权。在市场份额方面,EUV方面还是ASML独占鳌头,市占率100%;ArFi方面ASML市占率高达88%;ArF方面ASML占有63%的市场份额;KrF方面ASML也是占据63%的市场份额;在i线方面ASML也拿下了33%的份额。从EUV、ArFi、ArF机型的出货来看,全年共出货154台,其中ASML出货130台,占有84%的市场。
在国内市场,由于我国在光刻机行业发展起步较晚,再加上光刻机的制造和维护对研发技术和资金具备较高的门槛,我国相关光刻机产业集中在中低端产品上,在高端产品方面其产能具有一定的缺口,且仍需大量进口。
随着产业转移和建厂潮的推动,全球光刻设备市场将不断增长。预计2025年全球光刻机市场规模将达到4.917亿美元。
2020年4月,华卓精科的科技公司与清华大学取得了合作,攻克了国产光刻机研制上的一个关键技术-双工件台,这将为国产光刻机的发展提供极大帮助,并有希望在未来攻破7nm技术。
近年来,在国外的垄断下,越来越多的企业都意识到了光刻机的重要性以及对未来的影响,未来在各大科技企业的努力之下,我国国产光刻机将迎来不断的突破,市场发展前景依然可期。(WYD)
以上数据参考资料《2020年中国光刻机市场分析报告-行业运营态势与发展前景预测》
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