1、AESA中T/R组件是关键
参考观研天下发布《2018-2024年中国军用雷达行业市场现状深度调研与投资商机分析预测报告》
在相控阵雷达（包括无源和有源相控阵雷达）中，T/R是核心组件。T/R组件是TransmitterandReceiver的缩写，是无线收发系统中连接视频与天线之间的部分，即一端接天线，一端接中视频处理单元。TR组件的功能就是对信号进行放大、移相、衰减，完成发射和接收波束的空间合成。一部相控阵雷达少则数百部，多则上千部T/R组件，T/R组件是系统成本高低的决定性因素之一，并且其性能的好坏将直接影响相控阵雷达系统技战术指标。
一般而言，相控阵雷达T/R组件数量和功率决定了雷达的性能。我国AESA的T/R组件功率与数量与美军雷达接近，因此性能也大体相当。据统计，F-22战斗机使用的AN/APG-77雷达共有1956个T/R组件，而J-20战斗机的AESA为1856个，两者大致相当，而俄罗斯T-50战斗机研制的N036雷达T/R数量大约1500左右，数量略少。
目前T/R组件正朝着高性能、高可靠性、小型化和低成本的方向发展，这使得高性能高功率密度的射频氮化镓器件的需求不断升温。氮化镓受青睐主要是因为它是宽禁带（Wide-Bandgap）器件，与硅或者其他绝大多数半导体材料相比，氮化镓具有高压、高速、高功率、高效率、耐高温等优点，成为研究和制造微波高功率器件的重要半导体材料。
第一代半导体材料，以硅(Si)、锗(Ge)等为代表的元素半导体材料；
第二代半导体材料，以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)等为代表的化合物半导体材料；
第三代半导体材料，以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝（AlN）、氧化锌(ZnO)、金刚石为代表的宽禁带半导体材料。禁带宽度是表征价电子被束缚强弱程度的一个物理量，禁带越宽，对价电子的束缚越紧，使价电子摆脱束缚成为自由电子的能量越大。禁带宽度也决定了自由移动电子的质量。氮化镓的禁带宽度是3.4eV（电子伏特），另一种宽禁带材料碳化硅是3.3eV，对比一下，现在的射频工艺砷化镓（GaAs）的禁带宽度是1.4eV，而硅是1.1eV。用氮化镓和碳化硅等宽禁带材料制造的芯片能够承受更高的电压，所以与其他技术相比，输出能量密度更高，可工作环境温度也更高。
氮化镓材料能够使军用雷达的功率比传统雷达增大5倍，大幅提高使用雷达、电子战、导航和通信系统作战人员的战斗力，而体积却减少一半。根据StrategyAnalytics的统计，目前国防和航天应用占射频氮化镓总市场规模的40%，雷达和电子战系统是射频氮化镓的最大应用市场。
中国成都的海威华芯半导体公司和厦门的三安集成电路公司提供化合物半导体的代工服务，这两家公司都对外宣布说他们的6英寸GaN生产线已投产或正在建设。
2、机载雷达快速发展，仍然存在差距
我国机载军用雷达类型齐全。同样类型的雷达，除了空间探测方面的雷达我国可能还不全，机载雷达品种型号都比较齐全，但是性能和使用效能上还是有差异的。
我国机载雷达技术发展速度快，与西方先进技术比仍存在差距。我国雷达技术的发展速度超过了英美，例如大型相控阵雷达，尤其是氮化镓材料我们跟得很快，突破并拥有了相关技术。但是到目前为止，我国的机载雷达整体水平还有差距。例如，我国曾经进口了一些航管雷达，这些雷达虽然技术比较老，但是质量、可靠性、元器件比国内好一些，更重要的一点就是雷达的设计思想、概念比我们理解得深，所以使用效果很好。
我国机载雷达主要是基础研究和技术积累不够；电子元器件还有差距；方案、设计思想与美国差距不小。因为美国在20世纪二三十年代就开始研制雷达，我国雷达五六十年代才起步，虽然不排除我国某项技术超过了美国，但是如果要在整体水平上赶上去，需要从元器件、基本理论开始做扎扎实实研究。
我国机载雷达下一步的发展方向是提高目标识别能力，提升雷达效率，增强雷达反干扰能力。
雷达识别能力的提高可以从两个方面着手，一是通过提高雷达分辨率，即距离高分辨、角度高分辨，得到目标更多的信息；二是雷达可以跟光学互补，去研究发挥雷达的潜力，进行目标识别。光学成像、雷达成像机理不同，因为人眼是光学的反应，雷达看到的是反射的强弱，在分辨率相等的情况下，光学成像对人眼来说更直观些；
提高雷达效率、普及绿色雷达概念，是雷达的一个发展趋势。军用雷达要想探测距离远，需要发射大功率信号，一个雷达需要的电源上兆瓦，耗电量非常大；此外雷达处理跟计算机一样每秒万亿次的运算，功耗也非常大；
军用机载雷达反干扰也是很重要的一个问题，通过宽带雷达波形设计反干扰大有潜力。
参考观研天下发布《2018-2024年中国军用雷达行业市场现状深度调研与投资商机分析预测报告》
在相控阵雷达（包括无源和有源相控阵雷达）中，T/R是核心组件。T/R组件是TransmitterandReceiver的缩写，是无线收发系统中连接视频与天线之间的部分，即一端接天线，一端接中视频处理单元。TR组件的功能就是对信号进行放大、移相、衰减，完成发射和接收波束的空间合成。一部相控阵雷达少则数百部，多则上千部T/R组件，T/R组件是系统成本高低的决定性因素之一，并且其性能的好坏将直接影响相控阵雷达系统技战术指标。
图：典型的T/R组件原理框图
资料来源：公开资料整理
图：T/R模块实物
资料来源：公开资料整理
一般而言，相控阵雷达T/R组件数量和功率决定了雷达的性能。我国AESA的T/R组件功率与数量与美军雷达接近，因此性能也大体相当。据统计，F-22战斗机使用的AN/APG-77雷达共有1956个T/R组件，而J-20战斗机的AESA为1856个，两者大致相当，而俄罗斯T-50战斗机研制的N036雷达T/R数量大约1500左右，数量略少。
图：F22-装备的AN/APG-77雷达
资料来源：公开资料整理
图：T-50装备的N036雷达
资料来源：公开资料整理
目前T/R组件正朝着高性能、高可靠性、小型化和低成本的方向发展，这使得高性能高功率密度的射频氮化镓器件的需求不断升温。氮化镓受青睐主要是因为它是宽禁带（Wide-Bandgap）器件，与硅或者其他绝大多数半导体材料相比，氮化镓具有高压、高速、高功率、高效率、耐高温等优点，成为研究和制造微波高功率器件的重要半导体材料。
第一代半导体材料，以硅(Si)、锗(Ge)等为代表的元素半导体材料；
第二代半导体材料，以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)等为代表的化合物半导体材料；
第三代半导体材料，以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝（AlN）、氧化锌(ZnO)、金刚石为代表的宽禁带半导体材料。禁带宽度是表征价电子被束缚强弱程度的一个物理量，禁带越宽，对价电子的束缚越紧，使价电子摆脱束缚成为自由电子的能量越大。禁带宽度也决定了自由移动电子的质量。氮化镓的禁带宽度是3.4eV（电子伏特），另一种宽禁带材料碳化硅是3.3eV，对比一下，现在的射频工艺砷化镓（GaAs）的禁带宽度是1.4eV，而硅是1.1eV。用氮化镓和碳化硅等宽禁带材料制造的芯片能够承受更高的电压，所以与其他技术相比，输出能量密度更高，可工作环境温度也更高。
氮化镓材料能够使军用雷达的功率比传统雷达增大5倍，大幅提高使用雷达、电子战、导航和通信系统作战人员的战斗力，而体积却减少一半。根据StrategyAnalytics的统计，目前国防和航天应用占射频氮化镓总市场规模的40%，雷达和电子战系统是射频氮化镓的最大应用市场。
中国成都的海威华芯半导体公司和厦门的三安集成电路公司提供化合物半导体的代工服务，这两家公司都对外宣布说他们的6英寸GaN生产线已投产或正在建设。
2、机载雷达快速发展，仍然存在差距
我国机载军用雷达类型齐全。同样类型的雷达，除了空间探测方面的雷达我国可能还不全，机载雷达品种型号都比较齐全，但是性能和使用效能上还是有差异的。
我国机载雷达技术发展速度快，与西方先进技术比仍存在差距。我国雷达技术的发展速度超过了英美，例如大型相控阵雷达，尤其是氮化镓材料我们跟得很快，突破并拥有了相关技术。但是到目前为止，我国的机载雷达整体水平还有差距。例如，我国曾经进口了一些航管雷达，这些雷达虽然技术比较老，但是质量、可靠性、元器件比国内好一些，更重要的一点就是雷达的设计思想、概念比我们理解得深，所以使用效果很好。
我国机载雷达主要是基础研究和技术积累不够；电子元器件还有差距；方案、设计思想与美国差距不小。因为美国在20世纪二三十年代就开始研制雷达，我国雷达五六十年代才起步，虽然不排除我国某项技术超过了美国，但是如果要在整体水平上赶上去，需要从元器件、基本理论开始做扎扎实实研究。
我国机载雷达下一步的发展方向是提高目标识别能力，提升雷达效率，增强雷达反干扰能力。
雷达识别能力的提高可以从两个方面着手，一是通过提高雷达分辨率，即距离高分辨、角度高分辨，得到目标更多的信息；二是雷达可以跟光学互补，去研究发挥雷达的潜力，进行目标识别。光学成像、雷达成像机理不同，因为人眼是光学的反应，雷达看到的是反射的强弱，在分辨率相等的情况下，光学成像对人眼来说更直观些；
提高雷达效率、普及绿色雷达概念，是雷达的一个发展趋势。军用雷达要想探测距离远，需要发射大功率信号，一个雷达需要的电源上兆瓦，耗电量非常大；此外雷达处理跟计算机一样每秒万亿次的运算，功耗也非常大；
军用机载雷达反干扰也是很重要的一个问题，通过宽带雷达波形设计反干扰大有潜力。
图：美军现役EA-18G“咆哮者”电子攻击机
资料来源：公开资料整理
资料来源：观研天下整理，转载请注明出处（GYWW）
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